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Descrição
O Transistor IRFB4227 é um transistor MOSFET especificamente projetado para aplicações em Painéis de Exposição de Plasma. Este MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para atingir baixa resistência por área de silício. As características adicionais deste MOSFET são 175°C de temperatura de junção de operação e alta capacidade de corrente de pico repetitiva. Estas características se combinam para fazer deste MOSFET um dispositivo altamente eficiente, robusto e confiável.
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