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Transistor IRF9530N - MOSFET de canal P

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SKU: 512
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    Descrição

    Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), muito indicado para aplicações PWM ou para circuitos que necessitem de uma alta velocidade de comutação.


    O IRF9530N possui encapsulamento convencional SOT78 (TO220AB).


    Descrição do fabricante: P-channel HEXFET® Power MOSFET


    Datasheet: IRF9530N.PDF



    Especificação

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