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Transistor IRF630 - MOSFET de canal N

IRF630 - 9A, 200V, 0.35Ω, Power MOSFET
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Descrição do Produto

Detalhes

Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), muito indicado para aplicações PWM ou para circuitos que necessitem de uma alta velocidade de comutação.

O IRF630 possui encapsulamento convencional SOT78 (TO220AB).

Descrição do fabricante: HEXFET® Power MOSFET

Datasheet: IRF630.PDF


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